Mesin Goresan Rasuk Ion
Mesin Goresan Rasuk Ion

Mesin Goresan Rasuk Ion

Ion beam etching (IBE) ialah teknik filem nipis yang menggunakan sumber ion untuk menjalankan proses penyingkiran bahan pada substrat. IBE ialah sejenis pancaran ion sputtering dan, sama ada ia digunakan untuk goresan pra-bersih atau bercorak, ia membantu memastikan lekatan yang sangat baik dan pembentukan struktur 3D yang tepat.
Hantar pertanyaan

Mesin Goresan Rasuk Ion

 

Penerangan

 

Ion beam etching (IBE) ialah teknik filem nipis yang menggunakan sumber ion untuk menjalankan proses penyingkiran bahan pada substrat. IBE ialah sejenis pancaran ion sputtering dan, sama ada ia digunakan untuk goresan pra-bersih atau bercorak, ia membantu memastikan lekatan yang sangat baik dan pembentukan struktur 3D yang tepat.

 

Mesin ini ialah penyelesaian peralatan etsa fizikal berskala nano yang sangat kolimat, berketepatan tinggi dan sangat boleh dipercayai.

Menyokong ketepatan lebar nanowire dan goresan corak nisbah aspek berbilang jenis tinggi, tidak terhad oleh jenis bahan, goresan kolimasi tinggi, kadar goresan tinggi dan kebolehulangan yang baik.

 

Permohonan

 

Kisi-kisi planar, kisi-kisi khas kawasan besar, komponen pembelauan DOE, peranti MEMS, litar filem nipis, peranti bersepadu fotonik

 

ciri-ciri

 

  • Sumber ion komponen teras boleh dikawal secara bebas.
  • Serasi dengan IBE dan RIBE, dengan mod kerja pilihan.
  • Sesuai untuk goresan ketepatan tinggi pelbagai bahan, dengan saiz lebar garisan sehingga 20nm.
  • Keupayaan proses yang baik dan kebolehpercayaan pengeluaran.
  • Dinding bawah dan sisi kisi SiO/Si adalah lurus.
  • Membenarkan tenaga pancaran dan fluks ion dikawal secara bebas.
  • Proses ini berlaku dalam persekitaran kerja tekanan rendah.
  • Menghasilkan etsa anisotropik terkawal.
  • Menyediakan cara untuk semua bahan yang diketahui untuk terukir.
  • Membenarkan kawalan profil bersudut terima kasih kepada sudut pancaran goresan berubah-ubah berbanding dengan permukaan sampel/topeng.
  • Membenarkan kawalan profil/dinding sisi dan pembentukan ciri.
  • Keupayaan gas reaktif membolehkan kadar goresan yang lebih tinggi dan goresan selektiviti yang lebih tinggi bagi pelbagai bahan melalui spesies reaktif.

 

Parameter teknikal

 

Saiz substrat boleh etchable

6 inci

Mengukir keseragaman

±5%

Bahan boleh gores

SiO2, SiNx, Sapphire, berlian, lithium niobate, oksida logam, dll.

Gas yang ada

N2, O2, Ar, berasaskan Fluorin atau gas campuran

Sumber Ion RF

Kuasa FR: 1KW, Tenaga pancaran ion: 1000eV, arus pancaran ion: 1000mA

 

Cool tags: ion beam etching machine, China ion beam etching machine manufacturers, kilang