Teknologi etsa rasuk ion ialah teknologi pemprosesan ultra-halus yang muncul dari tahun 70-an abad ke-20 dengan pembangunan peranti pepejal ke arah lebar garis sub-mikron, yang menggunakan kesan sputtering pengeboman rasuk ion pada permukaan pepejal untuk menanggalkan geometri yang diperlukan pada peranti yang diproses.
Berbanding dengan pemesinan, kakisan kimia, kakisan plasma, sputtering plasma dan proses lain, etsa rasuk ion mempunyai ciri-ciri berikut:
(1) Ia tidak selektif kepada bahan yang diproses, dan sebarang bahan termasuk konduktor, semikonduktor, dan penebat boleh terukir.
(2) Ia mempunyai keupayaan pemprosesan ultra-halus. Ia mampu menggores corak alur yang sangat halus, yang berada dalam julat mikron dan sub-mikron, malah boleh mengukir garisan sekecil 0.008 μm.
(3) Goresan mempunyai arah yang baik dan resolusi tinggi. Sampelnya dibombardir secara arah oleh pancaran ion yang dikolimasikan dalam vakum, yang merupakan goresan arah yang boleh mengatasi fenomena penggerudian dan goresan yang tidak dapat dielakkan dalam pemprosesan basah kimia, dan pinggir corak terukir adalah tajam dan jelas. Resolusi tinggi. Ketepatan boleh mencapai 0.1~0.01μm, dan kekasaran permukaan adalah lebih baik daripada 0.05μm.
(4) Kebolehprosesan yang fleksibel dan kebolehulangan yang baik. Oleh kerana ketumpatan rasuk, tenaga, sudut kejadian, pergerakan atau kelajuan putaran meja bahan kerja dan parameter kerja lain rasuk ion boleh dikawal secara bebas dan tepat dalam julat yang agak luas, adalah mudah untuk mendapatkan keadaan pemprosesan yang optimum untuk sampel yang berbeza. , yang bukan sahaja boleh mengawal cerun dinding sisi garisan, tetapi juga mengawal kedalaman alur untuk berubah mengikut fungsi tertentu (kedalaman alur yang berubah mengikut fungsi tertentu dipanggil pemberat kedalaman).
(5) Kelemahan goresan pancaran ion ialah terdapat fenomena pemendapan semula (re-deposition effect) bahan terbantut. Ia perlu ditangani dalam amalan.